Fertigungsverfahren: TSMC setzt ab 2 nm auf Gate-all-around (GAA) [Notiz]

Bei 3 nm will TSMC den Schritt zu neuen Fertigungsverfahren noch umgehen, bei 2 nm kommen sie aber nicht mehr daran vorbei: GAA übernimmt. Damit folgt TSMC seinem Mitbewerber Samsung, der das seinerseits MBCFET (Multi Bridge Channel FET) genannte GAA-Verfahren bereits ab kommenden Jahr nutzen will.

Quelle: Feed/Computerbase.de [ mehr ]