28,5 Gbit/mm²: Samsungs 280-Layer-NAND schlägt bei Flächendichte alles

In rund drei Wochen steht die alljährliche International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) an. Zahlreiche Unternehmen der Halbleiterbranche werden wieder daran teilnehmen und über aktuelle wie kommende Technikneuheiten berichten. Samsung will neuen NAND-Flash mit der bisher größten Datendichte vorstellen.

Quelle: Feed/Computerbase.de [ mehr ]