SOT-MRAM: TSMC hilft bei Entwicklung des möglichen SRAM-Nachfolgers

Bei der Entwicklung von SOT-MRAM, einer neuen Variante der nichtflüchtigen Speichertechnik Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), will TSMC mitmischen. Mit dem größten Auftragsfertiger für Halbleiter im Rücken blicken Forscher in Taiwan voller Erwartungen in die Zukunft.

Quelle: Feed/Computerbase.de [ mehr ]