zNAND-O: Samsung träumt von NAND-Flash mit 3 µs und 400 GB/s

Um KI-Anwendungen direkt auf dem Gerät (On-Device-AI) zu beschleunigen, plant Samsung einen speziellen NAND-Flash mit sehr hoher Leistung. Das Konzept heißt zNAND-O und soll sehr geringe Zugriffszeiten und einen sehr hohen Durchsatz liefern.

Quelle: Feed/Computerbase.de [ mehr ]